C106MG

Fabricante: ON Semiconductor

Corriente de disparo IBO máx.: 20 A

Voltaje en estado desactivado nominal repetitivo VDRM: 200 V

Corriente de fuga en estado desactivado @ VDRM IDRM: 0.01 mA

Caída de tensión directa: 2.2 V

Voltaje de disparo en puerta (Vgt): 0.8 V

Voltaje inverso máximo de puerta: 6 V

Corriente de disparo en puerta (Igt): 0.2 mA

Corriente de retención (Ih máx.): 3 mA

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-225-3

Empaquetado: Bulk

Temperatura de trabajo máxima: + 110 C

Temperatura de trabajo mínima: - 40 C