IRF640PBF

Fabricante: International Rectifier

Polaridad del transistor: N-Channel

Tensión de disparo drenaje-fuente: 200 V

Tensión de disparo puerta-fuente: +/- 20 V

Corriente continua de drenaje: 18 A

Resistencia drenaje-fuente RDS (on): 150 mOhms

Configuración: Single

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220AB

Empaquetado: Tube

Tiempo de caída: 5.5 ns

Transconductancia directa gFS (máx. / mín.): 6.8 S

Qg de carga en la compuerta: 44.7 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Disipación de potencia: 150 W

Tiempo de subida: 19 ns

Tiempo de retardo de apagado típico: 23 ns