IRF540N
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IRF540N

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MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC. IRF540NPBF. 540. IRF. Ñ-2

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Categoría de producto: MOSFET
RoHS: En conformidad con la RoHS Detalles  
Polaridad del transistor: N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente: 20 V
Id - Corriente de drenaje continua: 33 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 44 mOhms
Qg - Carga de puerta: 47.3 nC
Dp - Disipación de potencia : 140 W
Estilo de montaje: Through Hole
Paquete / Cubierta: TO-220-3
Ñ-2
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